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北京瑞科中儀科技有限公司
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金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

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更新時(shí)間:2025-01-01 05:19:26瀏覽次數(shù):52次

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簡(jiǎn)要描述:金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備:熱蒸發(fā)是物理氣相沉積(PVD)中常用方法,也是PVD簡(jiǎn)單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜,其中以電阻式加熱法常見(jiàn)的。

金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備

熱蒸發(fā)是物理氣相沉積(PVD)中常用方法,也是PVD簡(jiǎn)單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無(wú)機(jī)薄膜,其中以電阻式加熱法常見(jiàn)的。這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡(jiǎn)單的薄膜沉積方法,以電流通過(guò)其容納材料的舟為方式,從而加熱材料。當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過(guò)真空室的溫度時(shí),材料將開(kāi)始蒸發(fā)並沉積到基板上。

SYSKEY金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備的熱蒸發(fā)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度,且薄膜的厚度和均勻度小於+/- 3%。

離子源可用於基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度,並且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積並使沉積後的薄膜更為緻密。

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應(yīng)用領(lǐng)域腔體
  • 金屬材料研究。

  • 奈米薄膜

  • 太陽(yáng)能電池。

 

  • 客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸

    和其應(yīng)用

  • 寬大的前開(kāi)式門(mén),並有兩個(gè)視窗和

    視窗遮版用於觀察基材和蒸發(fā)源

  • 腔體的極限真空度約為10-8 Torr。

配置和優(yōu)點(diǎn)選件
  • 客製化的基板尺寸,直徑為12寸

    晶圓或470 x 370 mm2(玻璃)。

  • 寬大的前開(kāi)式門(mén),並有兩個(gè)視窗和

    視窗遮版用於觀察基材和蒸發(fā)源。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%

  • 具有順序操作或共沉積的多個(gè)蒸發(fā)源。

  • 基板可加熱到800°C。

  • 利用載臺(tái)旋轉(zhuǎn)來(lái)改善薄膜沉積之品質(zhì)。

  • 基板至蒸發(fā)源之間距為可調(diào)式的。

  • 每個(gè)蒸發(fā)源和基材均有安裝遮板。

  • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套

    箱整合在一起

  • 結(jié)合離子源、濺鍍槍、電子束、

    等離子清潔...。

  • 基板冷卻。

  • 殘留氣體分析儀。


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